HD500
Máy điều hòa không khíCông nghệ khắc
Từ trường được thiết kế đặc biệt bao quanh hệ thống mẫu một cách đồng đều.
Độ đồng nhất tuyệt vời của quá trình khắc
Nhiễu xạ tốt
Cường độ khắc có thể điều chỉnh
Các mô-đun được khắc không cần bảo trì.
Mạ ion hồ quang (AIP)
Tỷ lệ ion hóa cao
Mật độ cao
Tốc độ lắng đọng cao
Nhiều vi hạt
Bề mặt thô ráp
cực âm tích hợp G4
Tỷ lệ ion hóa cao
Mật độ cao
Tốc độ lắng đọng cao
Bề mặt nhẵn mịn, không có hạt vi mô.
Ứng suất dư thấp
Phun phủ magnetron (MS)
Bề mặt nhẵn mịn, không có hạt vi mô.
Ứng suất dư thấp
Tốc độ lắng đọng thấp
Tỷ lệ ion hóa thấp
Công nghệ phủ PECVD
Phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) là một quy trình lắng đọng các lớp phủ hợp kim cứng kim cương vô định hình cực kỳ mịn, bám dính tốt trong môi trường chân không cao. So với các quy trình PVD, quy trình PECVD sử dụng nguồn điện mạ sâu, không cần mục tiêu catốt và phôi không cần quay trong buồng lò. Đây là một quy trình phủ sạch, không gây ô nhiễm, đáng tin cậy và đa chức năng.
● Phần cứng đơn giản, không cần nguồn ion hóa bổ sung
● Thiết kế từ trường phức hợp, tăng tỷ lệ ion hóa
● Tốc độ lắng đọng cao >1μm/h
● Nhiệt độ lắng đọng thấp
● Bề mặt nhẵn, không có tạp chất vi hạt lớn.
● Sản phẩm làm sạch bằng plasma, không cần bảo trì
Mô phỏng trường từ kín không cân bằng
Plasma mật độ cao
Sản phẩm làm sạch bằng plasma
PECVD (cho aC:H)
Dựa trên các yêu cầu về khả năng chống mài mòn, bôi trơn, chống ăn mòn và độ bền liên kết cao của các bộ phận, lớp phủ DLC được thiết kế về mặt cấu trúc dựa trên khái niệm cấu trúc đa lớp, chuyển tiếp gradient và vật liệu composite giao diện.
Cấu trúc lớp phủ DLC
Độ dày 2-4μm (tùy thuộc vào yêu cầu khác nhau)